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NTMFS4839N
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
I D = 30 A
V GS = 10 V & 4.5 V
100000
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.80
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
4
8
12
16
20
24
28
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
3000
2800
2600
2400
2200
2000
C ISS
T J = 25 ° C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
C RSS
C ISS
C OSS
200
0
15
10
5
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
V GS
V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q T
V GS
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
10
8
6
4
2
0
0
V DS
Q GS
2.5
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
Q GD 7
6
5
4
3
2
1
0
5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 22.5 25 27.5 30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Gate Charge
http://onsemi.com
4
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